講座報告主題：二維電子學中的高性能高電介質(zhì)的高通量計算設計
專家姓名：楊明
日期：2024-12-12 時間：15:00
地點：線上，騰訊會議：566-421-406
主辦單位：物理與電子工程學院
主講簡介：楊明博士是香港理工大學應用物理系的助理教授。他目前擔任IEEE香港電子器件學會/固態(tài)電路聯(lián)合分會的秘書，并且是《IEEE新興計算智能主題匯刊》的副主編。楊博士在新加坡國立大學獲得博士學位。加入理工大學之前，他在材料研究與工程研究院（IMRE）工作。截至目前，楊博士已在包括《科學》《自然·材料》《自然·電子學》《自然·納米技術(shù)》《物理評論快報》《先進材料》和《美國化學會志》等著名期刊上發(fā)表了超過180篇同行評審論文。他的研究成果已被引用超過7,500次，H指數(shù)為45（截至2024年12月，谷歌學術(shù)）。研究專長：楊博士的研究專注于利用高通量篩選、第一性原理計算和基于物理信息的機器學習來加速功能材料的發(fā)展。
主講內(nèi)容簡介：二維（2D）半導體，如單層二硫化鉬（MoS?），在推進納米電子學方面具有重要意義。然而，將高介電常數(shù)（high-k）的電介質(zhì)與2D半導體集成以實現(xiàn)高性能仍然是一個挑戰(zhàn)。在這次演講中，我將介紹我們對設計高k電介質(zhì)和2D MoS?之間高性能界面的理解。首先，我會展示氫化是一種有效的鈍化方法，可以作用于傳統(tǒng)高k電介質(zhì)與MoS?之間的界面上未配對的懸掛鍵，在這個過程中，氫化會選擇性地發(fā)生在諸如氮化硅（Si?N?）和鉿氧化物（HfO?）這樣的高k電介質(zhì)上，而不會影響到MoS?。其次，我將介紹一種數(shù)據(jù)驅(qū)動的方法，用于加速發(fā)現(xiàn)有潛力的無機分子晶體作為適用于2D MoS?的高性能高k電介質(zhì)。這些研究成果推動了對將高k電介質(zhì)與2D半導體集成的理解，并可能有助于廣泛種類的2D電子和光電設備的發(fā)展。
歡迎師生參加！
